三星电子将为高达1TB的模块生产12nm级32Gb DDR5 DRAM

随着企业顺应人工智能浪潮，将需要更多的数据中心电脑。这些数据中心还需要在系统中装入更多内存以及NVIDIA 提供的强大 GPU 。今天，三星Electronics 宣布开发出全球首款采用 12 纳米 (nm) 制造工艺的 32 Gb DDR5 DRAM。

三星的新闻稿称，与当前 16Gb 模块相比，这一新工艺使同一封装中的内存量增加了一倍，该公司早在 2023 年 5 月就开始批量生产该模块。该公司补充道：

此前，使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模块需要采用硅通孔 (TSV) 工艺。不过，通过使用三星的 32Gb DRAM，现在可以在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块，同时与采用 16Gb DRAM 的 128GB 模块相比，功耗降低约 10%。这一技术突破使得该产品成为数据中心等注重用电效率的企业的最佳解决方案。

三星补充道，这一新进展将为未来某个时候高达 1TB 的 DRAM 模块的创建开辟道路。该公司计划向数据中心以及其他“需要人工智能和下一代计算等应用”的公司提供新的 32Gb DRAM 产品。

新款 32Gb DDR5 DRAM 计划于 2023 年底前开始量产。三星没有透露这些新产品的价格点。

该公司还指出，它于 1983 年生产了第一款 DRAM 内存产品。当时，它是处于计算前沿的 KB DRAM 模块。三星指出，到2023年，随着其32Gb DDR5 DRAM产品的推出，其内存容量“在过去40年里增加了50万倍”。

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