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三星开始量产其最先进的12纳米DDR5 内存芯片

摘要 三星电子已开始量产基于其于 2022 年底宣布的12 纳米技术的业界最先进的 DDR5 DRAM 内存芯片。新芯片的主要亮点是功耗和晶圆产能的显

三星电子已开始量产基于其于 2022 年底宣布的12 纳米技术的“业界最先进”的 DDR5 DRAM 内存芯片。新芯片的主要亮点是功耗和晶圆产能的显着改善。

三星表示,其新型 12 纳米级 DRAM 的能耗比上一代产品低 23%。这为全球 IT 公司提供了“理想的解决方案”,以减少其服务器和数据中心的能源消耗和碳足迹。三星解释说,由于一种具有高介电常数的新材料有助于增加电池电容,因此这种效率的提高成为可能:

三星业界领先的 12 纳米级 DDR5 DRAM 采用差异化工艺技术,可提供出色的性能和能效。我们最新的 DRAM 反映了我们对引领 DRAM 市场的持续承诺,不仅通过满足计算市场对大规模处理的需求的高性能和大容量产品,而且还通过商业化支持更高生产力的下一代解决方案。

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